2025年11月20日至21日，全世界居先的综合电子元器件制造商村田中国（如下简称“村田”）将表态在成都中国西部国际博览城召开的“2025集成电路成长论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业博览会（ICCAD 2025）”，展位号：【D106】。这次年夜会，村田将重点存眷将来高机能AI成长，出力为高速高频设计挑战提供更多小型化、高机能的元器件产物及解决方案，集中展示于集成电路范畴的前沿技能及解决方案。

跟着人工智能技能的迅速成长及算力需求的连续爬升，AI芯片的市场范围正迅速扩展。按照德勤中国本年发布的《技能趋向2025》*1陈诉，全世界AI芯片市场增加迅猛，到2027年，估计市场范围将增加至4000亿美元，守旧预估也将达1100亿美元。AI芯片的高速成长对于集成电路设计也提出了更高的要求。怎样优化及立异芯片中的多类元器件，使其可以或许满意AI运用日趋增加的计较、能效及不变性要求，正成为行业聚焦的重点。

*1来历：Deloitte, “Tech trend 2025”,2025,

https://www.deloitte.com/content/dam/assets-zone1/cn/zh/docs/industries/technology-media-teleco妹妹unications/2025/deloitte-cn-tech-trends-2025-en-250225.pdf

本次展会，村田将带来多款业内居先的电子元器件产物和解决方案，连续助力行业解决因AI芯片机能提高而孕育发生的多种设计挑战，鞭策集成电路财产向更优效、更小型化、更不变的标的目的成长。

低ESL（UESL）硅电容

村田低ESL硅电容，尤其合用在封装内去除了高频反谐振点的去耦及PDN设计优化，很是合适AI办事器HPC、用在前沿深度进修的加快成长高规格GPU等运用场景。该系列具备低ESL、ESR及多端子设计，可以或许降低PDN于高频下的阻抗，撑持多电源域的去耦，3D布局实现电容漫衍的矫捷性。今朝，该系列产物已经乐成运用在一些旗舰机的APU，以和HPC的部门PDN设计参考中。

多层陶瓷电容器（MLCC）

村田这次带来多款MLCC产物，涵盖长宽颠倒电容（LLL）、三端子电容（NFM），小型化年夜容量电容等产物，可运用在AI办事器、互换机、汽车等多种场景。村田的长宽颠倒型低ESL MLCC不仅具备220μm如下的低厚度特色，并且低ESL特征对于电路PDN 设计有着很年夜的帮忙，是以很是合适芯片违贴利用。而3端子电容则能有用解决板级或者芯片内部空间问题，削减电容利用数目，晋升电路机能。此外，村田的年夜容量化办法让村田乐成成为业内率先实现0603（1.6x0.8妹妹）/X6/100μF产物量产的厂商。村田的MLCC以富厚的产物线及行业居先的技能实力助力多类装备向小型化、高机能、高不变性成长，从而有用解决行业痛点，鞭策行业奔腾式成长。

村田集成封装解决方案*2

使用村田的专有技能，联合聚合物电容与多层基板技能出产工艺所研发，容值密度高，厚度薄，专有的通孔设计可实现芯片或者电源模块的垂直供电。同时，具有不变性高、无直流偏置及温漂的特色。区分在传统电容结构，村田的集成封装解决方案于优化PDN阻抗的同时，为高机能计较等范畴运用的紧凑化设计提供更多可能性。很是合适办事器、GPU、AI加快卡等运用。

*2参考产物，产物规格及外不雅若有变动，恕不另行通知

展会现场，村田还有将展出包括多层LCP产物于内的多样化产物。除了此以外，村田也将于展会时期介入“IC设计与立异运用”年夜会，并带来主题演讲——《AI与汽车电子范畴的精巧封装IC(PDN)设计与解决方案》。届时，村田中国产物工程师李丹钰女士将分享村田于人工智能及车载电子范畴的PDN优化经验及前沿封装设计思绪，为预会者带来关在PDN技能的专业洞察。

村田将连续经由过程技能堆集和实践，助力集成电路设计优化，为行业提供多元解决方案。接待各界人士莅临村田展位，切身体验前沿科技，配合摸索行业新篇。

关在村田建造所

村田建造所是一家全世界性的综合电子元器件制造商，重要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、出产及发卖营业。致力在经由过程自身开发堆集的质料开发、工艺开发、商品设计、出产技能以和对于它们提供撑持的软件及阐发评估等技能基础，开发特点产物，为电子社会的成长做出孝敬。